STMicroelectronics 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 485-8358
- Distrelec artikelnummer:
- 304-42-969
- Tillv. art.nr:
- STS4DNF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
137,09 kr
(exkl. moms)
171,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 11 030 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 27,418 kr | 137,09 kr |
| 50 - 120 | 23,634 kr | 118,17 kr |
| 125 + | 18,534 kr | 92,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 485-8358
- Distrelec artikelnummer:
- 304-42-969
- Tillv. art.nr:
- STS4DNF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 55mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 55mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanals STripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DeepGate, STripFET
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench