Sök efter MPN

STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET

RS-artikelnummer:: 165-5564
Tillv. art.nr:: STS10P4LLF6
Tillverkare / varumärke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

23 240,00 kr

(exkl. moms)

29 050,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 31 augusti 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 - 2500	9,296 kr	23 240,00 kr
5000 - 7500	8,942 kr	22 355,00 kr
10000 +	8,589 kr	21 472,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-5564
Tillv. art.nr:: STS10P4LLF6
Tillverkare / varumärke:: STMicroelectronics

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	STMicroelectronics
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	10A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	SOIC
	Serie	STripFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	20mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	2.7W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	34nC
	Framåtriktad spänning Vf	-1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	5mm
	Höjd	1.5mm
	Bredd	4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke STMicroelectronics
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp SOIC
	Serie STripFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 2.7W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC
	Framåtriktad spänning Vf -1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 5mm
	Höjd 1.5mm
	Bredd 4mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

P-kanal STripFETTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics

STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.