STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 485-8386
- Tillv. art.nr:
- STS6NF20V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
38,17 kr
(exkl. moms)
47,71 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 280 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 7,634 kr | 38,17 kr |
| 50 - 120 | 6,412 kr | 32,06 kr |
| 125 - 495 | 4,764 kr | 23,82 kr |
| 500 - 2495 | 4,198 kr | 20,99 kr |
| 2500 + | 3,818 kr | 19,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 485-8386
- Tillv. art.nr:
- STS6NF20V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.25mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.25mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
