STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DeepGate, STripFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
168-7300
Tillv. art.nr:
STS5NF60L
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOIC

Serie

DeepGate, STripFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

55mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.65mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal STripFETTM DeepGateTM, STMicroelectronics


STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.