DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 122-3314
- Tillv. art.nr:
- DMP3085LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
2 475,00 kr
(exkl. moms)
3 100,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 11 januari 2027
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 5000 | 0,99 kr | 2 475,00 kr |
| 7500 + | 0,965 kr | 2 412,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-3314
- Tillv. art.nr:
- DMP3085LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.7V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.7W | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.7V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.7W | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Bredd 3.95mm | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 8.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q200, AEC-Q100,
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
