DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 122-3314
- Tillv. art.nr:
- DMP3085LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
2 475,00 kr
(exkl. moms)
3 100,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 5000 | 0,99 kr | 2 475,00 kr |
| 7500 + | 0,965 kr | 2 412,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-3314
- Tillv. art.nr:
- DMP3085LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.7W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Standarder/godkännanden | MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.7W | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.7V | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Standarder/godkännanden MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad 3.1 A 30 V Förbättring SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Effekt-MOSFET 8 Ben AEC-Q100,
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad 5.8 A 40 V Förbättring SOIC AEC-Q100 AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ P Effekt-MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad 4.8 A 60 V Förbättring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad 6.6 A 60 V Förbättring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad 7.5 A 30 V Förbättring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad 7.6 A 20 V Förbättring SOIC AEC-Q101
