Sök efter MPN

onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

RS-artikelnummer:: 671-0753
Tillv. art.nr:: FDS8984
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

56,90 kr

(exkl. moms)

71,10 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 360 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	11,38 kr	56,90 kr
50 - 95	9,834 kr	49,17 kr
100 - 495	8,556 kr	42,78 kr
500 - 995	7,482 kr	37,41 kr
1000 +	6,81 kr	34,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 671-0753
Tillv. art.nr:: FDS8984
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	7A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	PowerTrench
	Kapseltyp	SOIC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	23mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	9.2nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.6W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.5mm
	Längd	5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	4mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie PowerTrench
	Kapseltyp SOIC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.2nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.6W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.5mm
	Längd 5mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 4mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

MOSFET med dubbla N-kanaler för fordonsindustrin, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor tillhandahåller lösningar som löser komplexa utmaningar på fordonsmarknaden med en grundlig kunskap om kvalitets-, säkerhets- och tillförlitlighetsstandarder.

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.