Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 145-9547
Tillv. art.nr:: BSS205NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 418,00 kr

(exkl. moms)

3 024,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 - 3000	0,806 kr	2 418,00 kr
6000 - 6000	0,766 kr	2 298,00 kr
9000 +	0,718 kr	2 154,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 145-9547
Tillv. art.nr:: BSS205NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Serie	OptiMOS 2
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	85mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2.1nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.3mm
	Längd	2.9mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Serie OptiMOS 2
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 85mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.1nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.3mm
	Längd 2.9mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS™ 2 Series MOSFET, 2.5A Maximum Continuous Drain Current, 500 mW Maximum Power Dissipation - BSS205NH6327XTSA1

This N-channel MOSFET is a vital component in contemporary electronic applications, especially in automation and automotive sectors. Designed for efficient switching applications, it features a compact SOT-23 surface mount package. Its capacity to handle significant drain currents and voltages makes it suitable for industrial and automotive contexts, ensuring consistent performance.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 2.5A

• Maximum drain-source voltage of 20V

• Minimal Rds(on) of 85 mΩ enhances power efficiency

• Qualified to AEC-Q101 for automotive applications

Applications

• Used in automotive power management systems

• Suitable for DC-DC converters in electronic devices

• Employed in motor control for efficient switching

• Ideal for power amplification in RF

What kind of protection does this offer against voltage spikes?

It is avalanche rated and can handle high energy pulses, providing protection in dynamic environments.

What is the significance of the low Rds(on) in this device?

A low on-state resistance improves power loss management and enhances efficiency, making it suitable for high-efficiency applications.

How can this be installed on a circuit board?

It can be soldered onto a PCB in the SOT-23 package, ensuring secure mounting for surface-mount technology applications.

What are the typical switching characteristics at the rated voltage?

The device displays quick turn-on and turn-off times, improving switching efficiency in high-speed applications.

Is this compatible with other components in automotive circuits?

Yes, it meets automotive standards and functions effectively with various devices in power management circuits.