Infineon N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 165-5732
Tillv. art.nr:: BSS123NH6433XTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101

Antal (10000 enheter, på en rulle med 10000)*

4 090,00 kr

(exkl. moms)

5 110,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 19 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
10000 +	0,409 kr	4 090,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-5732
Tillv. art.nr:: BSS123NH6433XTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	190mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	10Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	0.8V
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	0.6nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20, +20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	2.9mm
	Höjd	1mm
	Bredd	1.3mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 10Ω
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 0.8V
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 2.9mm
	Höjd 1mm
	Bredd 1.3mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 10 Ω maximal drain-källresistans – BSS123NH6327XTSA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningstransistor som är utformad för omkopplings- och styruppgifter i kompakta elektroniska enheter. Den är avsedd för användning över ett brett temperaturområde och i tillämpningar där låg omkopplingsladdning och försiktig strömhantering krävs. Enheten levereras i ett SOT-23-paket för enkel kretskortsmontering och är lämplig för miljöer som kräver fordonsklassad komponentrobusthet.

Funktioner och fördelar:

• 100 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 10 Ω Rds(on) förenklar skydd mot låg effekt och strömbegränsning
• 0.6 nC typisk grindladdning minimerar omkopplingsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 190 mA med stöd för styrning av lätta laster
• 20 V grindspänningsklassning möjliggör kompatibilitet med vanliga drivnivåer
• 500 mW effektförlust hanterar blygsamma termiska belastningar

Användningsområden

• Lämplig för avkänningskretsar för batterihantering
• Idealisk för omkoppling av last med låg strömstyrka i styrmoduler
• Används med nivåförskjutningsgränssnitt i system med blandad spänning
• Kan användas för signalisolering i periferienheter för fordon
• Lämplig för termobegränsade eldistributionsnätverk

Vilka temperaturförhållanden tål den i drift?

Den fungerar i ett brett temperaturområde från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med både kall start och hög värme.

Vilken montering och stiftkonfiguration använder den?

Den levereras som ett SOT-23-paket med tre stift för ytmontering, optimerat för automatiserad kretskortsmontering och små formfaktorlayouter.

Hur påverkar dess konstruktion valet för fordonsprojekt?

Enheten uppfyller en stressteststandard för fordon, vilket gör den lämplig där komponenter måste tolerera fordonskvalificeringskrav.

Hur ska värmeavledning hanteras på ett kretskort?

Med en avledningsgräns på 500 mW bör konstruktörer tillhandahålla tillräcklig kopparyta eller termiska vägar för att sprida värme och upprätthålla kopplingstemperaturer inom säkra gränser.