onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Dubbla N-kanals effekt-Trench MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Power 33, PowerTrench

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

103,94 kr

(exkl. moms)

129,925 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • 355 kvar, redo att levereras
  • Sista 1 645 enhet(er) levereras från den 29 april 2026

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2520,788 kr103,94 kr
30 - 14518,57 kr92,85 kr
150 - 74516,396 kr81,98 kr
750 - 149514,134 kr70,67 kr
1500 +12,118 kr60,59 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
806-3504
Tillv. art.nr:
FDMC8030
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Dubbla N-kanals effekt-Trench MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

Power 33

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

10mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Maximal effektförlust Pd

1.9W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Standarder/godkännanden

Lead-Free and RoHS

Höjd

0.75mm

Längd

3mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® dubbel N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON Semis PowerTrench® MOSFET är optimerade strömomkopplare som erbjuder ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning, liten omvänd återställning och en mjuk diod för omvänd återställning för att bidra till snabb omkoppling av synkron likriktning i AC/DC-nätaggregat.

Mjukt kroppsdiodprestanda för PowerTrench® MOSFET:er kan eliminera snubberkrets eller ersätta en MOSFET med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar