onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET tunn, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 759-9572
- Tillv. art.nr:
- FDME1023PZT
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
26,43 kr
(exkl. moms)
33,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Slutlig(a) 4 260 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 5,286 kr | 26,43 kr |
| 10 - 95 | 5,13 kr | 25,65 kr |
| 100 - 495 | 5,018 kr | 25,09 kr |
| 500 - 995 | 4,928 kr | 24,64 kr |
| 1000 + | 4,794 kr | 23,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-9572
- Tillv. art.nr:
- FDME1023PZT
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | MicroFET tunn | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 142mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.4W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8, +8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 1.6mm | |
| Höjd | 0.5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 1.6mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp MicroFET tunn | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 142mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.4W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8, +8V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 1.6mm | ||
Höjd 0.5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 1.6mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET tunn, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Dubbla N-kanals effekt-Trench MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Power 33, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
