onsemi Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 29 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 166-1700
- Tillv. art.nr:
- FDD3860
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 166-1700
- Tillv. art.nr:
- FDD3860
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 36mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 69W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 36mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 69W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 2.39mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 20A till 59,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 29 A 100 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal 50 A 40 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 29 A 150 V Förbättring TO-263, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 79 A 150 V Förbättring TO-220AB, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 92 A 30 V Förbättring TO-220AB, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 11.5 A 60 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal 8.4 A 40 V Förbättring TO-252, PowerTrench
