onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-4803
- Tillv. art.nr:
- FDP2532
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
44,46 kr
(exkl. moms)
55,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 26 enhet(er) levereras från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 44,46 kr |
| 10 + | 38,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-4803
- Tillv. art.nr:
- FDP2532
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 79A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Typ av fäste | Genomgående hål, Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.016Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.25V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 310W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 9.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 79A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Typ av fäste Genomgående hål, Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.016Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.25V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximal effektförlust Pd 310W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 9.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 29 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET tunn, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, Dubbla N-kanals effekt-Trench MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Power 33, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerTrench