onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-4803
- Tillv. art.nr:
- FDP2532
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
44,46 kr
(exkl. moms)
55,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 26 enhet(er) levereras från den 30 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 44,46 kr |
| 10 + | 38,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-4803
- Tillv. art.nr:
- FDP2532
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 79A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Genomgående hål, Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.016Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 82nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 310W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 9.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 79A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Genomgående hål, Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.016Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 82nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 310W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 9.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 29 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET tunn, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
