Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 260 mA 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 153-0730
- Tillv. art.nr:
- NX7002BKXBZ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 153-0730
- Tillv. art.nr:
- NX7002BKXBZ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | UltraFET Trench MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 260mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.7Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 4032mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1nC | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.05mm | |
| Längd | 1.15mm | |
| Höjd | 360μm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp UltraFET Trench MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 260mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.7Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 4032mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.05mm | ||
Längd 1.15mm | ||
Höjd 360μm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET 40 V–60 V, logik- och standardnivå MOSFET i en mängd olika paket, ta ett urval av våra robusta och lättanvända MOSFET i 40 V till 60 V-området, en del av vår stora MOSFET-enhetsportfölj. De är perfekta för utrymmes- och strömkritiska tillämpningar, ger utmärkt omkopplingsprestanda och klassledande säkert driftsområde (SOA).
60 V, dubbel N-kanal Trench MOSFET, dubbelt N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i ett blyfritt ultraminiatyr DFN1010B-6 (SOT1216) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Logiknivåkompatibel
Blyfri ultra liten och ultratunn SMD-plastförpackning 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Trench MOSFET-teknik
>
Relädrivare
Höghastighetsledningsdrivare
Lastomkopplare på låg sida
Omkopplingskretsar
Relaterade länkar
- Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 260 mA 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ P Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 500 mA -20 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 180 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, TSSOP, NX3020NAKS
- Nexperia 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, NX3008CBKS AEC-Q101
- Nexperia 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 860 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 870 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
