Sök efter MPN

Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 260 mA 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET

RS-artikelnummer:: 153-0730
Tillv. art.nr:: NX7002BKXBZ
Tillverkare / varumärke:: Nexperia

Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 260 mA 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

4 920,00 kr

(exkl. moms)

6 150,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 21 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	0,984 kr	4 920,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 153-0730
Tillv. art.nr:: NX7002BKXBZ
Tillverkare / varumärke:: Nexperia

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Nexperia
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	UltraFET Trench MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	260mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	Trench MOSFET
	Kapseltyp	DFN
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	5.7Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1nC
	Maximal effektförlust Pd	4032mW
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Transistorkonfiguration	Dubbel
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	1.05mm
	Höjd	0.36mm
	Längd	1.15mm
	Standarder/godkännanden	No
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Nexperia
	Kanaltyp N
	Produkttyp UltraFET Trench MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 260mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie Trench MOSFET
	Kapseltyp DFN
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 5.7Ω
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC
	Maximal effektförlust Pd 4032mW
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Transistorkonfiguration Dubbel
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 1.05mm
	Höjd 0.36mm
	Längd 1.15mm
	Standarder/godkännanden No
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

N-kanal MOSFET 40 V–60 V, logik- och standardnivå MOSFET i en mängd olika paket, ta ett urval av våra robusta och lättanvända MOSFET i 40 V till 60 V-området, en del av vår stora MOSFET-enhetsportfölj. De är perfekta för utrymmes- och strömkritiska tillämpningar, ger utmärkt omkopplingsprestanda och klassledande säkert driftsområde (SOA).

60 V, dubbel N-kanal Trench MOSFET, dubbelt N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i ett blyfritt ultraminiatyr DFN1010B-6 (SOT1216) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.

Logiknivåkompatibel

Blyfri ultra liten och ultratunn SMD-plastförpackning 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Trench MOSFET-teknik

Relädrivare

Höghastighetsledningsdrivare

Lastomkopplare på låg sida

Omkopplingskretsar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.