STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DeepGate, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 795-8868
- Tillv. art.nr:
- STS5NF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
81,42 kr
(exkl. moms)
101,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,142 kr | 81,42 kr |
| 100 - 490 | 6,025 kr | 60,25 kr |
| 500 - 990 | 5,951 kr | 59,51 kr |
| 1000 - 2490 | 5,88 kr | 58,80 kr |
| 2500 + | 5,81 kr | 58,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 795-8868
- Tillv. art.nr:
- STS5NF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 55mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 55mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM DeepGateTM, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DeepGate, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET