STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 618,85 kr

(exkl. moms)

2 023,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +32,377 kr1 618,85 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-8751
Tillv. art.nr:
STP260N6F6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

DeepGate, STripFET

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

183nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

300W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

15.75mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.6 mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar