STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
920-8751
Tillv. art.nr:
STP260N6F6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

DeepGate, STripFET

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

183nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

300W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

15.75mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Bredd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal STripFETTM DeepGateTM, STMicroelectronics


STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.