STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DeepGate, STripFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

147,84 kr

(exkl. moms)

184,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9014,784 kr147,84 kr
100 - 4909,979 kr99,79 kr
500 - 9907,969 kr79,69 kr
1000 - 24907,639 kr76,39 kr
2500 +7,548 kr75,48 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
791-9308
Tillv. art.nr:
STD80N4F6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

DeepGate, STripFET

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

70W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.6mm

Höjd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

N-kanal STripFETTM DeepGateTM, STMicroelectronics


STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.