STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 168-8826
- Tillv. art.nr:
- STP240N10F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 50 enheter)*
1 417,90 kr
(exkl. moms)
1 772,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 30 mars 2027
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 28,358 kr | 1 417,90 kr |
| 250 + | 27,147 kr | 1 357,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-8826
- Tillv. art.nr:
- STP240N10F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal STripFETTM DeepGateTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DeepGate, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
