STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET H7
- RS-artikelnummer:
- 103-2005
- Tillv. art.nr:
- STD100N10F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
35 187,50 kr
(exkl. moms)
43 985,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 14,075 kr | 35 187,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-2005
- Tillv. art.nr:
- STD100N10F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 120W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Bredd | 6.2 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie STripFET H7 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 120W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.4mm | ||
Bredd 6.2 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.