STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F3 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

35 047,50 kr

(exkl. moms)

43 810,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 20 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +14,019 kr35 047,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7727
Tillv. art.nr:
STD65N55F3
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

STripFET F3

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

110W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.4mm

Bredd

6.2mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.6mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal STripFETTM F3, STMicroelectronics


STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.