STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-6596
- Tillv. art.nr:
- STD25NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
32 740,00 kr
(exkl. moms)
40 925,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 13,096 kr | 32 740,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6596
- Tillv. art.nr:
- STD25NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DeepGate, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F3 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET