onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal N+P lastomkopplare, Effekt-MOSFET, 1.3 A 8 V Förbättring, 6 Ben, SC-88
- RS-artikelnummer:
- 780-0605
- Tillv. art.nr:
- NTJD1155LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (20 enheter, på ett band med 20)*
52,20 kr
(exkl. moms)
65,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 060 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 20 + | 2,61 kr | 52,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 780-0605
- Tillv. art.nr:
- NTJD1155LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 8V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 320mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Transistorkonfiguration | N+P lastomkopplare | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 8V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 320mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Transistorkonfiguration N+P lastomkopplare | ||
Bredd 1.35mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Funktioner och fördelar:
• ESD-skydd
• Ultralåg Rds P-kanal belastningsomkopplare
• V-område på 1,8–8,0 V
• ON/OFF-område – 1,5 till 8,0 V
• SOT 363-paket
• Drivlaster upp till 1,3 A med 8 V.
Användningsområden:
• Lastomkopplare på höga sidan med nivåförskjutning
• Mobiltelefoner
• Digitala kameror
• PDA:er
• Mediaspelare
Dubbel N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
NTJD1155L är en tvåkanalig MOSFET. Med både P- och N-kanal i en enda kapsel är denna MOSFET utmärkt för låg styrsignal, låga batterispänningar och höga belastningsströmmar. N-kanalen har internt ESD-skydd och kan drivas av logiska signaler så låga som 1,5 V, medan P-kanalen är utformad för att användas på lastväxlingstillämpningar. P-kanalen är också utformad med ON semis trenchteknik.
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal N+P lastomkopplare, Effekt-MOSFET, 1.3 A 8 V Förbättring, 6 Ben, SC-88
- Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 260 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 12 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET