Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 12 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 970,00 kr

(exkl. moms)

11 220,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,99 kr8 970,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-7183
Tillv. art.nr:
SIA517DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

SC-70

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

170mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

6.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8, +8V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Bredd

2.15mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.15mm

Höjd

0.8mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.