Vishay 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 322,00 kr

(exkl. moms)

6 654,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,774 kr5 322,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-6930
Tillv. art.nr:
SI1922EDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SC-88

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

263mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.25W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.6nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Längd

2.2mm

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.35mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

Dubbel N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.