Sök efter MPN

DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben

RS-artikelnummer:: 823-1877
Tillv. art.nr:: ZXMHC3A01T8TA
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

88,70 kr

(exkl. moms)

110,90 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

860 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 10	17,74 kr	88,70 kr
15 - 45	15,966 kr	79,83 kr
50 +	14,192 kr	70,96 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 823-1877
Tillv. art.nr:: ZXMHC3A01T8TA
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	DiodesZetex
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	330mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	0.95V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.9nC
	Maximal effektförlust Pd	1.7W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Transistorkonfiguration	Helbrygga
	Standarder/godkännanden	MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020
	Bredd	3.7mm
	Höjd	1.6mm
	Längd	6.7mm
	Antal element per chip	4
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke DiodesZetex
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 330mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 0.95V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.9nC
	Maximal effektförlust Pd 1.7W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Transistorkonfiguration Helbrygga
	Standarder/godkännanden MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020
	Bredd 3.7mm
	Höjd 1.6mm
	Längd 6.7mm
	Antal element per chip 4
	Fordonsstandard Nej

Kompletterande förstärkningsläge MOSFET H-brygga, Diodes Inc.

MOSFET-transistorer, inbyggda dioder

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.