Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 50 enheter)*

224,55 kr

(exkl. moms)

280,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
50 - 2004,491 kr224,55 kr
250 - 4503,364 kr168,20 kr
500 - 12003,145 kr157,25 kr
1250 - 24502,697 kr134,85 kr
2500 +2,336 kr116,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3108
Tillv. art.nr:
SI1967DH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SC-88

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

790mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.6nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.25W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Bredd

1.35mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.2mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Vishay TrenchFET-serien effekt-MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 1,1 A maximal kontinuerlig drain-ström - SI1967DH-T1-GE3


Denna effekt-MOSFET är en ytmonterad P-kanal-transistor avsedd för lågspänningsomkoppling och analoga funktioner i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar som en förstärkningsenhet och är utformad för att integreras där isolerad transistorkonfiguration och blygsam kontinuerlig strömhantering krävs. Komponenten levereras i ett litet SC-88-paket som är lämpligt för täta layouter.

Funktioner och fördelar:


• 20 V drain-source-klassning möjliggör omkoppling vid låg spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 1,1 A stöder stabila belastningar
• 790 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster
• 2,6 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar
• 1.25 W effektförlust klarar av måttlig termisk påfrestning

Användningsområden


• Lämplig för batteribeskyddskretsar i bärbar utrustning
• Idealisk för lastväxling i kompakta strömmoduler
• Används med nivåväxlande steg i analoga frontändar
• Kan användas för omkoppling med två kanaler i trånga kretskortsutrymmen

Vilken monteringsstil krävs för montering?


Den är avsedd för ytmontering på standardlödbara dynor som är kompatibla med SC-88-fotavtryck.

Hur många aktiva transistorelement innehåller den?


Enheten innehåller två element per chip, vilket möjliggör dubbelfunktion eller komplementär routing i konstruktioner.

Vilka gränsspänningsgränser bör konstruktörer observera?


Den maximala nominella spänningen från grind till källa är 8 V, vilket inte får överskridas för att undvika enhetsbelastning.

Vilket temperaturområde tål den under drift?


Den är specifik för drift mellan -55 °C och 150 °C och passar ett brett spektrum av miljöförhållanden.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.