Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 50 enheter)*

194,90 kr

(exkl. moms)

243,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
50 - 2003,898 kr194,90 kr
250 - 4502,919 kr145,95 kr
500 - 12002,728 kr136,40 kr
1250 - 24502,339 kr116,95 kr
2500 +2,027 kr101,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3108
Tillv. art.nr:
SI1967DH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SC-88

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

790mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal effektförlust Pd

1.25W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.6nC

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

-55°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.2mm

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

MOSFET med dubbla P-kanaler, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar