Sök efter MPN

onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 780-0614
Tillv. art.nr:: NTJD4158CT1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 25 enheter)*

70,45 kr

(exkl. moms)

88,05 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 14 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per tejp*
25 - 75	2,818 kr	70,45 kr
100 - 225	2,424 kr	60,60 kr
250 - 475	2,101 kr	52,53 kr
500 - 975	1,85 kr	46,25 kr
1000 +	1,689 kr	42,23 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 780-0614
Tillv. art.nr:: NTJD4158CT1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N, Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	880mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	SC-88
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	500mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	270mW
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	0.9nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	650mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, -12V, +12V, +20V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Längd	2.2mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.35mm
	Höjd	1mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N, Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 880mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp SC-88
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 500mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 270mW
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.9nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 650mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, -12V, +12V, +20V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Längd 2.2mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.35mm
	Höjd 1mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard AEC-Q101

Dubbel N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor

NTJD1155L är en tvåkanalig MOSFET. Med både P- och N-kanal i en enda kapsel är denna MOSFET utmärkt för låg styrsignal, låga batterispänningar och höga belastningsströmmar. N-kanalen har internt ESD-skydd och kan drivas av logiska signaler så låga som 1,5 V, medan P-kanalen är utformad för att användas på lastväxlingstillämpningar. P-kanalen är också utformad med ON semis trenchteknik.

MOSFET-transistorer, ON Semiconductor

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.