DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

191,95 kr

(exkl. moms)

239,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 050 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 2003,839 kr191,95 kr
250 - 4503,455 kr172,75 kr
500 +3,071 kr153,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
827-0480
Tillv. art.nr:
DMN3190LDW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SC-88

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

335mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.9nC

Maximal effektförlust Pd

400mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Längd

2.2mm

Standarder/godkännanden

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.