Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4800 enheter)*

57 912,00 kr

(exkl. moms)

72 388,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4800 +12,065 kr57 912,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9295
Tillv. art.nr:
IRF6644TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

57A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SO-8

Maximal drain-källresistans Rds

13mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

89W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRF-serie är en stark IRFET-familj av powermosfeter som är optimerad för låg RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Högströmsklassning

Dubbel sidkylningskapacitet

Låg kapslingshöjd på 0,7 mm

Låg parasitisk (1 till 2 nH) induktanspaket

100 % blyfri (inget RoHS-undantag)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.