Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, SO-8, HEXFET

RS-artikelnummer:: 257-9295
Tillv. art.nr:: IRF6644TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, SO-8, HEXFET

Antal (1 rulle med 4800 enheter)*

57 912,00 kr

(exkl. moms)

72 388,80 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 15 mars 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4800 +	12,065 kr	57 912,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-9295
Tillv. art.nr:: IRF6644TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	57A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	SO-8
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Maximal drain-källresistans Rds	13mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	89W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	28nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 57A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp SO-8
	Typ av fäste Genomgående hål
	Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 89W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRF6644TRPBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 100 V maximal drain-source-spänning, 57 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRF6644TRPBF

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för strömomkoppling och styrning i elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i ett kompakt SO-8-paket för montering på kretskort. Enheten är lämplig där hög strömhantering och ett blygsamt framåtriktat diodfall krävs, och den uppfyller RoHS-miljöbegränsningar.

Funktioner och fördelar:

• 100 V nominell spänning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 57 A kontinuerlig ström stöder tillämpningar med hög belastning
• 13 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 89 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 28 nC grindladdning möjliggör förutsägbara krav på grinddrivning

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för synkron likriktering i switchade strömförsörjningsenheter
• Används med motordrivningssteg som kräver hög ström
• Kan användas för omkoppling på höga eller låga sidor
• Lämplig för mellanbuss- och strömhanteringskretsar

Vilket är det tillåtna drifttemperaturområdet?

Den fungerar på ett minimum av -55 °C upp till maximalt 150 °C.

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under drift?

Grinden får inte överstiga ±20 V i förhållande till källan för att förhindra skador.

Hur uppför sig den inneboende dioden vid framåtriktad ledning?

Den inbyggda dioden uppvisar en framåtvänd spänning på 1,3 V under ledning.

Vilken förpackning bör förväntas för kortmontering?

Den levereras i en SO-8-förpackning för ytmontering som är lämplig för standardlödmontering.