Vishay N Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, MIKROFOT, SI8824EDB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

115,35 kr

(exkl. moms)

144,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 254,614 kr115,35 kr
50 - 754,516 kr112,90 kr
100 - 2253,463 kr86,58 kr
250 - 9753,387 kr84,68 kr
1000 +2,097 kr52,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
256-7399
Tillv. art.nr:
SI8824EDB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

SI8824EDB

Kapseltyp

MIKROFOT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

0.175Ω

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

5V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

0.9W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.7nC

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

402μm

Fordonsstandard

Nej

Vishay SI8824EDB-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 2,1 A maximal kontinuerlig drain-ström - SI8824EDB-T2-E1


Denna n-kanals MOSFET är en kompakt ytmonterad omkopplingstransistor som är utformad för lågspänningshantering och snabba omkopplingsuppgifter. Den fungerar inom extrema omgivningsområden och är avsedd för användning där ett litet fotavtryck och grindstyrning på logiknivå krävs. Enheten uppfyller RoHS och levereras i en MICRO FOOT-förpackning som är lämplig för montering med hög densitet.

Funktioner och fördelar:


• Låg påslagningsresistans på 0.175 Ω möjliggör minskade ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 2.1 A stöder måttliga belastningsströmmar
• Gate-tröskelinställd för Vgs-kompatibilitet på 5 V logiknivå
• Typisk grindladdning 2.7 nC för snabb omkopplingsprestanda
• Maximal effektförlust på 0,9 W hanterar termisk belastning i kompakta layouter
• Forward-spänning 1,2 V hjälper till att förutsäga ledningsfall

Användningsområden


• Lämplig för batteridrivna DC/DC-omvandlare i kompakt design
• Idealisk för strömfördelning med hög densitet på SMD-enheter
• Används med mikrostyrenheter som kräver Vgs 5 V-omkoppling
• Kan användas för lågspänningsmotordrivare och lastswitchar
• Lämplig för styrning av signalnivå i konsumentelektronik

Vilka termiska extremer tål enheten under drift?


Den är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i krävande temperaturmiljöer.

Hur påverkar förpackningen kortets layout?


MICRO FOOT ytmonteringsformat minimerar vertikalt och lateralt utrymme, vilket underlättar snäv komponentplacering och lågprofilsmonteringar.

Vilken elektrisk gräns bör konstruktörer observera för drain-source-spänning?


Den maximala drain-källspänningen är 20 V, så konstruktionerna måste hålla systemspänningen under denna tröskel.

Hur påverkar omkopplingsbeteendet valet av grinddrivare?


Med en typisk grindladdning på 2,7 nC måste grinddrivare leverera tillräcklig ström för önskade kanthastigheter utan överdrivna förluster.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.