Vishay N Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, MIKROFOT, SI8824EDB

RS-artikelnummer:: 256-7398
Tillv. art.nr:: SI8824EDB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, MIKROFOT, SI8824EDB

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

4 356,00 kr

(exkl. moms)

5 445,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 26 november 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	1,452 kr	4 356,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 256-7398
Tillv. art.nr:: SI8824EDB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	MIKROFOT
	Serie	SI8824EDB
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	0.175Ω
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	5V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2.7nC
	Maximal effektförlust Pd	0.9W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	402μm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp MIKROFOT
	Serie SI8824EDB
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 0.175Ω
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.7nC
	Maximal effektförlust Pd 0.9W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 402μm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SI8824EDB-T2-E1

Vishay SI8824EDB-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 2,1 A maximal kontinuerlig drain-ström - SI8824EDB-T2-E1

Denna n-kanals MOSFET är en kompakt ytmonterad omkopplingstransistor som är utformad för lågspänningshantering och snabba omkopplingsuppgifter. Den fungerar inom extrema omgivningsområden och är avsedd för användning där ett litet fotavtryck och grindstyrning på logiknivå krävs. Enheten uppfyller RoHS och levereras i en MICRO FOOT-förpackning som är lämplig för montering med hög densitet.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 0.175 Ω möjliggör minskade ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 2.1 A stöder måttliga belastningsströmmar
• Gate-tröskelinställd för Vgs-kompatibilitet på 5 V logiknivå
• Typisk grindladdning 2.7 nC för snabb omkopplingsprestanda
• Maximal effektförlust på 0,9 W hanterar termisk belastning i kompakta layouter
• Forward-spänning 1,2 V hjälper till att förutsäga ledningsfall

Användningsområden

• Lämplig för batteridrivna DC/DC-omvandlare i kompakt design
• Idealisk för strömfördelning med hög densitet på SMD-enheter
• Används med mikrostyrenheter som kräver Vgs 5 V-omkoppling
• Kan användas för lågspänningsmotordrivare och lastswitchar
• Lämplig för styrning av signalnivå i konsumentelektronik

Vilka termiska extremer tål enheten under drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i krävande temperaturmiljöer.

Hur påverkar förpackningen kortets layout?

MICRO FOOT ytmonteringsformat minimerar vertikalt och lateralt utrymme, vilket underlättar snäv komponentplacering och lågprofilsmonteringar.

Vilken elektrisk gräns bör konstruktörer observera för drain-source-spänning?

Den maximala drain-källspänningen är 20 V, så konstruktionerna måste hålla systemspänningen under denna tröskel.

Hur påverkar omkopplingsbeteendet valet av grinddrivare?

Med en typisk grindladdning på 2,7 nC måste grinddrivare leverera tillräcklig ström för önskade kanthastigheter utan överdrivna förluster.