Vishay N Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, MIKROFOT, SI8824EDB

RS-artikelnummer:: 256-7398
Tillv. art.nr:: SI8824EDB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, MIKROFOT, SI8824EDB

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

4 356,00 kr

(exkl. moms)

5 445,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 01 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	1,452 kr	4 356,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 256-7398
Tillv. art.nr:: SI8824EDB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	MIKROFOT
	Serie	SI8824EDB
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	0.175Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2.7nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	0.9W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	5V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	0.402mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp MIKROFOT
	Serie SI8824EDB
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 0.175Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.7nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 0.9W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 0.402mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SI8824EDB-T2-E1

Vishay SI8824EDB-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 2,1 A maximal kontinuerlig drain-ström - SI8824EDB-T2-E1

Denna MOSFET är en kompakt N-kanalstransistor som är utformad för ytmonteringstillämpningar i elektroniska styr- och omkopplingskretsar. Den fungerar som en lågspänningsomkopplare eller förstärkare i system där blygsam strömhantering och låg påslagningsresistans krävs, fungerar över ett brett omgivningstemperaturområde och är lämplig för industriella miljöer som kräver strömkomponenter med litet fotavtryck.

Funktioner och fördelar:

• 20 V dräneringsspänning möjliggör lågspänningsomkopplingstillämpningar • 2,1 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar • 0,175 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning • 2,7 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkopplingsövergångar • 0,9 W effektförlust hanterar termisk belastning i kompakta layouter • Maximal klassning på +150 °C möjliggör drift vid höga temperaturer

Användningsområden

• Lämpligt för grindsteg för motordrivare i automationsutrustning • Idealisk för belastningsväxling i industriella kontrollpaneler • Används för strömhantering i inbyggda elektroniska monteringar • Kan användas för signalnivåväxling i testinstrument

Vilken kapslingstyp finns för lödning på ett kretskort?

Den levereras i en MICRO FOOT 4-stifts ytmonteringsförpackning avsedd för automatiserad montering och täta kortlayouter.

Hur uppför sig enheten termiskt under kontinuerlig drift?

Med en dissipationsgräns på 0,9 W och en maximal kopplingsklassning på +150 °C bör den termiska designen innehålla kretskortskoppar och värmesänkning för att upprätthålla kopplingstemperaturen inom säkra gränser vid nominell ström.

Vilka gränser för grinddrivning bör observeras för att undvika skador?

Den maximala grind-till-källspänningen är 5 V, så grinddrivare måste ligga inom detta intervall för att förhindra grindoxidbelastning.

Vilka miljöspecifikationer reglerar hanteringen av farliga ämnen?

Enheten överensstämmer med RoHS-standarder som begränsar vissa farliga ämnen vid tillverkning och kassering.