Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.2 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SI8818EDB

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

4 359,00 kr

(exkl. moms)

5 448,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,453 kr4 359,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
653-090
Tillv. art.nr:
SI8818EDB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK

Serie

SI8818EDB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

0.143Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.4nC

Maximal effektförlust Pd

0.9W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

0.8mm

Höjd

0.39mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

0.8mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för ultrakompakt, högeffektiv omkoppling i utrymmesbegränsade system. Den stöder upp till 30 V drain-källspänning. Förpackad i MICRO FOOT 0,8 mm x 0,8 mm, använder den TrenchFET-teknik för att leverera låg RDS(on), snabb omkoppling och utmärkt termisk prestanda.

Blyfri

Halogenfria

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.