Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 12 V Förbättring, 6 Ben, MIKROFOT, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 874,00 kr

(exkl. moms)

11 094,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,958 kr8 874,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
180-7326
Tillv. art.nr:
SI8483DB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

16A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

MIKROFOT

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

26mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

21nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

13W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

1.5mm

Höjd

0.59mm

Bredd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Vishay Siliconix Si8483DB-serien TrenchFET med dubbel N-kanal effekt-MOSFET har en dränerings-till-källspänning på 12 V. Den har en maximal effektförlust på 13 W och används huvudsakligen i lastomkopplare i bärbara enheter.

Lågt spänningsfall

Låg strömförbrukning

Ökad batteritid

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.