Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -6.3 A -30 V Förbättringsläge, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 847-935
- Tillv. art.nr:
- SI8409ADB-T1-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet, på ett band med 1)*
10,75 kr
(exkl. moms)
13,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,75 kr |
| 10 - 99 | 7,62 kr |
| 100 - 499 | 4,82 kr |
| 500 - 999 | 3,36 kr |
| 1000 + | 2,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 847-935
- Tillv. art.nr:
- SI8409ADB-T1-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -6.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Kapseltyp | MIKROFOT | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.046Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.77W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.6mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS3 Compliant | |
| Höjd | 0.62mm | |
| Längd | 1.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -6.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Kapseltyp MIKROFOT | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.046Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.77W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.6mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS3 Compliant | ||
Höjd 0.62mm | ||
Längd 1.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishay P-kanal MOSFET som fungerar effektivt som en last-, batteri- och laddaromkopplare. Dess ultrakompakta dimensioner och låga påslagningsresistans gör den mycket effektiv för olika elektroniska tillämpningar.
Micro Foot-förpackningen möjliggör minimalt fotavtryck utan att kompromissa med prestandan
Låg påslagningsresistans maximerar effektiviteten i strömhanteringen
Kompatibel med en mängd andra enheter, vilket säkerställer mångsidighet i applikationer
Stöder höga strömklassningar, vilket förbättrar tillförlitligheten under krävande förhållanden
Fungerar inom breda temperaturområden för att passa olika miljöer
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.5 A 20 V Förbättringsläge, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 34.6 A 70 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 12 V Förbättring, 6 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 352 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 149 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SI
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 3.4 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SI
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 125 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SIR