Vishay N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 735-232
- Tillv. art.nr:
- SI8916EDB-T6-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
2,24 kr
(exkl. moms)
2,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 24 | 2,24 kr |
| 25 - 99 | 1,46 kr |
| 100 + | 0,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-232
- Tillv. art.nr:
- SI8916EDB-T6-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | MIKROFOT | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.77W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Bredd | 1.11mm | |
| Längd | 1.11mm | |
| Höjd | 0.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp MIKROFOT | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 0.77W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Bredd 1.11mm | ||
Längd 1.11mm | ||
Höjd 0.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 12 V Förbättring, 6 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -6.3 A -30 V Förbättringsläge, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 3.5 A 8 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, SI8802DB
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, Si8489EDB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 8 V, 6 Ben, MIKROFOT
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, MIKROFOT, SI8824EDB
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -2.5 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -101.4 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET