Vishay N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
735-232
Tillv. art.nr:
SI8916EDB-T6-E1
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

MIKROFOT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.6nC

Maximal effektförlust Pd

0.77W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

1.11mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Bredd

1.11mm

Höjd

130μm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.