Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 8 V, 6 Ben, MIKROFOT
- RS-artikelnummer:
- 256-7395
- Tillv. art.nr:
- SI8416DB-T2-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
54,99 kr
(exkl. moms)
68,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 10,998 kr | 54,99 kr |
| 50 - 95 | 9,856 kr | 49,28 kr |
| 100 - 245 | 7,93 kr | 39,65 kr |
| 250 - 995 | 7,772 kr | 38,86 kr |
| 1000 + | 5,622 kr | 28,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7395
- Tillv. art.nr:
- SI8416DB-T2-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 8V | |
| Kapseltyp | MIKROFOT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.024Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.59mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 8V | ||
Kapseltyp MIKROFOT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.024Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.59mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Semiconductor N-kanal 8 V (D-S) mosfet 16 A (Tc) 2, 77 W (Ta), 13 W (Tc) ytmontering och dess tillämpningar är lastomkopplare med låg på-resistans för
bärbara enheter, låg strömförbrukning, låg spänningsfall, ökad batteritid, utrymmesbesparing på kretskort.
TrenchFET Power Mosfet
Ultraliten 1.5 mm x 1 mm maximal kontur
Ultratunn 0.59 mm maximal höjd
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 8 V, 6 Ben, MIKROFOT
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, MIKROFOT, SI8824EDB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 3.5 A 8 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, SI8802DB
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 12 V Förbättring, 6 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, Si8489EDB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -6.3 A -30 V Förbättringsläge, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.2 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SI8818EDB
