Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.50 A -20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSV AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0561
- Tillv. art.nr:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 898,00 kr
(exkl. moms)
3 624,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,966 kr | 2 898,00 kr |
| 6000 - 6000 | 0,869 kr | 2 607,00 kr |
| 9000 + | 0,784 kr | 2 352,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0561
- Tillv. art.nr:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -20V | |
| Serie | BSV | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -20V | ||
Serie BSV | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon BSV-serien MOSFET, 20 V maximal drain-source-spänning, 1,50 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSV236SPH6327XTSA1
Denna p-kanals MOSFET är en ytmonterad transistor som är utformad för omkopplings- och analoga funktioner i kompakta enheter. Den fungerar i ett brett temperaturområde från -55 °C till +150 °C och är lämplig för tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och måttlig kontinuerlig strömhantering. Enheten använder en förstärkningsläge P-kanalkanal och finns i ett litet SOT-363-paket för täta kortlayouter.
Funktioner och fördelar:
• Låg Rds(on) på 4.20 mΩ minskar ledningsförlusterna och förbättrar effektiviteten
• Gränstolerans på 20 V stöder P-kanalswitchning med medelhög spänning
• 1,50 A kontinuerlig strömkapacitet möjliggör stabila lågströmslaster
• 81 W effektförlust möjliggör kortvarig hantering av högre effekt
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar styrning av omkopplingsenergi
• Gränstolerans på 20 V stöder P-kanalswitchning med medelhög spänning
• 1,50 A kontinuerlig strömkapacitet möjliggör stabila lågströmslaster
• 81 W effektförlust möjliggör kortvarig hantering av högre effekt
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar styrning av omkopplingsenergi
Användningsområden
• Lämplig för högtemperaturstyrning av fordonsströmförsörjning
• Idealisk för ytmonterad belastningsswitchning på kompakta kretskort
• Används med grinddrivare i batterihanteringssystem
• Kan användas för polaritetsskydd och kontroll av omvänd ström
• Idealisk för ytmonterad belastningsswitchning på kompakta kretskort
• Används med grinddrivare i batterihanteringssystem
• Kan användas för polaritetsskydd och kontroll av omvänd ström
Vilken typ av förpackning bör förväntas för kompakta monteringar?
Den levereras i ett SOT-363-paket som är lämpligt för ytmonteringsdesigner med begränsat utrymme.
Hur påverkar grindspänningsbegränsningen gränssnittet?
Gate-till-källspänningen får inte överstiga 20 V, så drivkretsar bör hålla Vgs inom detta intervall.
Vilket godkännande stöder dess fordonsanvändning?
Den uppfyller AEC-Q101-standarderna för certifiering av halvledare av fordonskvalitet.
Vilket temperaturområde kan hanteras i tuffa miljöer?
Klassad omgivande drift sträcker sig från -55 °C upp till +150 °C för att passa applikationer med extrema temperaturer.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.50 A -20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSV AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.50 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 390 mA -20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 0.95 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 550 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMP31 AEC-Q101