Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 0.95 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 902,00 kr

(exkl. moms)

2 376,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,634 kr1 902,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
250-0522
Tillv. art.nr:
BSD235CH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

0.95A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-363

Serie

BSD235C

Antal ben

6

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

0.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon gör denna 20 V kompletterande P + N-kanal som används i stor utsträckning i tillämpningar med hög omkoppling. Den är lavinklassad och halogenfri. Den här MOSFET-förbättringsläget erbjuder superlogiknivå (klassad för 2,5 V). Enheten är Avalanche-klassad och 100 % blyfri.

Superlogiknivå med 2,5 V-klassning

Drifttemperaturen är 150 °C

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.