Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 250-0522
Tillv. art.nr:: BSD235CH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 902,00 kr

(exkl. moms)

2 376,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

6 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	0,634 kr	1 902,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 250-0522
Tillv. art.nr:: BSD235CH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N, Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	950mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SOT-363
	Serie	BSD235C
	Typ av fäste	Ytmontering
	Antal ben	6
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	0.5W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	1.20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N, Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 950mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SOT-363
	Serie BSD235C
	Typ av fäste Ytmontering
	Antal ben 6
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 0.5W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 1.20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon BSD235C-serien MOSFET, 20 V maximal drain-source-spänning, 0,95 A maximal kontinuerlig drain-ström - BSD235CH6327XTSA1

Denna MOSFET är en dubbel förstärkningstransistor som är utformad för kompakta tillämpningar av fordonskvalitet. Den integrerar både N-kanal- och P-kanal-element på ett enda kretskort i ett 6-stifts SOT-363-paket, vilket möjliggör omkopplings- och signaluppgifter med litet fotavtryck. Enheten är specifik för att fungera över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och överensstämmer med miljömässiga materialbegränsningar.

Funktioner och fördelar:

• 20 V maximal dräneringskällspänning möjliggör omkopplingskapacitet vid låg spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 0.95 A stöder måttliga strömbelastningar
• 1,2 V gate-source-klassning möjliggör drift av lågspännings gate-drivkrets
• 0.5 W effektförlust möjliggör kompakt termisk budgetering
• Maximal drifttemperatur på 150 °C möjliggör användning i förhöjd omgivningsmiljö

Användningsområden

• Lämplig för lastväxling i fordon i trånga utrymmen
• Idealisk för kompletterande push-pull-signalsteg
• Används med lågspänningsstyrlogik för grindstyrning
• Kan användas för redundant strömhantering med två element
• Används för kompakta kortkonstruktioner som kräver RoHS-kompatibilitet

Hur många transistorelement är integrerade på chipet?

Den innehåller två element, en N-kanal och en P-kanal.

Vilket antal stift och vilket paket ska jag planera för i kretskortslayouten?

Enheten använder ett 6-stifts SOT-363-fotavtryck för ytmontering.

Vilka extrema temperaturer tål den under drift?

Det tillåtna arbetsområdet sträcker sig från -55 °C upp till 150 °C.

Är enheten lämplig där materialbegränsningar gäller?

Den uppfyller RoHS-materialkraven och är utformad i enlighet därmed.