Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.50 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 250-0557
Tillv. art.nr:: BSS315PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.50 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 031,00 kr

(exkl. moms)

2 538,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 27 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	0,677 kr	2 031,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 250-0557
Tillv. art.nr:: BSS315PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.50A
	Maximal källspänning för dränering Vds	-30V
	Serie	BSS
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	270mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.50A
	Maximal källspänning för dränering Vds -30V
	Serie BSS
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 270mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon BSS-serien MOSFET, 30 V maximal drain-source-spänning, 81 W effektförlust – BSS315PH6327XTSA1

Denna P-kanaltransistor är utformad för kompakta ytmonterade omkopplings- och belastningsstyrningsuppgifter i miljöer som kräver bred temperaturtolerans och kvalificering av fordonsklass. Den fungerar som en förstärkningsenhet förpackad i SOT-23 för kretskortsmontering och är lämplig för kretsar där en måttlig kontinuerlig dräneringsström och definierad grinddrivning krävs.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 270 mΩ minskar ledningsförluster
• Kontinuerlig avtappningsström på 1,50 A stöder stabila belastningar
• Gate-threshold-prestanda med 80 nC typisk laddning för förutsägbar omkoppling
• Tål grindspänningar på upp till 20 V för flexibla drivalternativ
• Klassad för att avleda 81 W för att hantera transienter

Användningsområden

• Används för omkoppling av batteriskydd i fordonselektronik
• Lämplig för små DC-strömhanteringsmoduler
• Idealisk för ytmonterad belastningsswitchning på kompakta kretskort
• Kan användas för omvänd polaritet eller hög-side-omkopplingsfunktioner

I vilket temperaturområde kan den fungera?

Den fungerar i ett driftområde från -55 °C upp till +150 °C.

Vilken kapsling och monteringsstil använder den?

Den levereras i en SOT-23-kapsel avsedd för ytmontering.

Vilka standarder eller godkännanden uppfyller den för begränsade ämnen?

Den uppfyller RoHS-kraven.

Vilken är den maximala spänningen den kan blockera mellan drain och source?

Den maximala drain-source-spänningen är -30 V.

Är den lämplig för fordonskvalificeringsnivåer?

Den uppfyller AEC‐Q101 fordonsstandarden.