Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0520
- Tillv. art.nr:
- BSD223PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 872,00 kr
(exkl. moms)
2 340,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,624 kr | 1 872,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,592 kr | 1 776,00 kr |
| 15000 + | 0,567 kr | 1 701,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0520
- Tillv. art.nr:
- BSD223PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -0.39A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | BSD | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -0.39A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie BSD | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons mycket innovativa OptiMOSTM-familjer inkluderar förstärkningsläge MOSFET med Super Logic-nivå. Den är avalanche- och dv/dt-klassad. Den erbjuder snabb omkoppling. Enheten är blyfri och halogenfri. Vds är -20 V, Rds(on) är 1,2 Ω medan Id är -0,39 A.
Konsekvent uppfyller de högsta kraven på kvalitet och prestanda
Stor påslagningsresistans och meritfaktor
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -1.5 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSV AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 0.95 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, OptiMOS 2 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 550 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMP31 AEC-Q101
- Toshiba 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101