Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 390 mA -20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0520
- Tillv. art.nr:
- BSD223PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 872,00 kr
(exkl. moms)
2 340,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,624 kr | 1 872,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,592 kr | 1 776,00 kr |
| 15000 + | 0,567 kr | 1 701,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0520
- Tillv. art.nr:
- BSD223PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 390mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -20V | |
| Serie | BSD | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.20Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.25W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 390mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -20V | ||
Serie BSD | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.20Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.25W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon BSD-serien MOSFET -20 V drain-source-spänning, 0,25 W effektförlust - BSD223PH6327XTSA1
Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad transistor som är utformad för omkoppling med låg effekt över ett brett temperaturområde. Den fungerar som en förstärkningsenhet för att styra ström i kompakta enheter och är lämplig för miljöer som kräver utökad värmetolerans och kvalificering av fordonsklass.
Funktioner och fördelar:
• 1,20 Ω drain‐source-resistans ger förutsägbart ledningsbeteende
• Kontinuerlig dräneringsström på 0.39 A med stöd för omkopplingslaster med låg ström
• 12 V gate-source-klassning möjliggör standard gate-driven spänning
• Gränsen för drain-source på 20 V möjliggör drift i kretsar med negativ spänning
• Effektförlust på 0.25 W minimerar termisk belastning i små monteringar
• Kontinuerlig dräneringsström på 0.39 A med stöd för omkopplingslaster med låg ström
• 12 V gate-source-klassning möjliggör standard gate-driven spänning
• Gränsen för drain-source på 20 V möjliggör drift i kretsar med negativ spänning
• Effektförlust på 0.25 W minimerar termisk belastning i små monteringar
Användningsområden
• Lämplig för batterihantering och strömstyrningsuppgifter vid låg ström
• Idealisk för signalväxling i kompakt ytmonterad elektronik
• Används med fordonssensorgränssnitt som kräver temperaturbeständighet
• Kan användas för nivåväxling i styrkretsar med blandad spänning
• Idealisk för signalväxling i kompakt ytmonterad elektronik
• Används med fordonssensorgränssnitt som kräver temperaturbeständighet
• Kan användas för nivåväxling i styrkretsar med blandad spänning
Vilka extrema temperaturer klarar den av?
Den fungerar i ett omgivningsområde från -55 °C till +150 °C.
Vilket förpacknings- och monteringssätt använder den?
Den levereras i ett SOT‐363-paket med ytmonterat fotavtryck och sex stift.
Uppfyller den industrins miljöstandarder?
Den uppfyller RoHS-kraven och är kvalificerad enligt AEC-Q101 för fordonsanvändning.
Vilken kanaltyp och vilket läge använder den?
Det är en P-kanal-enhet som drivs i förstärkningsläge.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 390 mA -20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.50 A -20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSV AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 0.95 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 550 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMP31 AEC-Q101
- Toshiba 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101