onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

66,65 kr

(exkl. moms)

83,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • 23 150 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +2,666 kr66,65 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-0611
Tillv. art.nr:
NTJD4152PT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

880mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-363

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

1Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.2nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Maximal effektförlust Pd

350mW

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.2mm

Höjd

1mm

Bredd

1.35mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Dubbel P-kanal MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.