Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 200 enheter)*

172,00 kr

(exkl. moms)

216,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 8 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
200 +0,86 kr172,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4333
Tillv. art.nr:
BSD214SNH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-363

Serie

OptiMOS 2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

250mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.8nC

Maximal effektförlust Pd

0.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Längd

2.02mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.35mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM2 småsignaltransistorer är kvalificerade enligt AEC Q101.

N-kanal

Förbättringsläge

Super Logic-nivå (klassad för 2,5 V)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.