Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

22,74 kr

(exkl. moms)

28,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 12 760 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +2,274 kr22,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0699
Tillv. art.nr:
BSD316SNH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

BSD

Kapseltyp

SOT-363

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

160mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.6nC

Maximal effektförlust Pd

0.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

2mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Höjd

0.9mm

Bredd

1.25mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons N-kanal småsignal-MOSFET för fordons- och industritillverkare har en bred portfölj av N- och P-kanal småsignal-MOSFET som uppfyller och överträffar de högsta kvalitetskraven i välkända industristandardpaket. Med oöverträffad tillförlitlighet och tillverkningskapacitet är dessa komponenter idealiska för en mängd olika tillämpningar, inklusive LED-belysning, ADAS, karossstyrenheter, SMPS och motorstyrning.

Förbättringsläge

Logiknivå

Avalanche-klassad

Snabbväxlande

Dv/dt-klassad

Låg RDS(on) ger högre effektivitet och förlänger batteritiden

Små förpackningar sparar kretskortsutrymme

Klassens bästa kvalitet och tillförlitlighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.