Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0521
- Tillv. art.nr:
- BSD223PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
30,69 kr
(exkl. moms)
38,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 740 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,069 kr | 30,69 kr |
| 100 - 240 | 2,89 kr | 28,90 kr |
| 250 - 490 | 1,87 kr | 18,70 kr |
| 500 - 990 | 1,546 kr | 15,46 kr |
| 1000 + | 1,366 kr | 13,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0521
- Tillv. art.nr:
- BSD223PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -0.39A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | BSD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -0.39A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie BSD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons mycket innovativa OptiMOSTM-familjer inkluderar förstärkningsläge MOSFET med Super Logic-nivå. Den är avalanche- och dv/dt-klassad. Den erbjuder snabb omkoppling. Enheten är blyfri och halogenfri. Vds är -20 V, Rds(on) är 1,2 Ω medan Id är -0,39 A.
Konsekvent uppfyller de högsta kraven på kvalitet och prestanda
Stor påslagningsresistans och meritfaktor
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -1.5 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSV AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 0.95 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, OptiMOS 2 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 550 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMP31 AEC-Q101
- Toshiba 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101