Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 249-6896
- Tillv. art.nr:
- IAUC80N04S6L032ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
80,64 kr
(exkl. moms)
100,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 590 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,128 kr | 80,64 kr |
| 50 - 120 | 14,492 kr | 72,46 kr |
| 125 - 245 | 13,552 kr | 67,76 kr |
| 250 - 495 | 12,588 kr | 62,94 kr |
| 500 + | 11,782 kr | 58,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-6896
- Tillv. art.nr:
- IAUC80N04S6L032ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | IAUC | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie IAUC | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUC-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 80 A maximal kontinuerlig drain-ström - IAUC80N04S6L032ATMA1
Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling och strömhantering i krävande miljöer. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för ytmonterade tillämpningar där kompakt krafthantering krävs. Enheten uppfyller fordonsstandard och miljöbegränsningar, vilket gör den lämplig för system som kräver robust termisk tolerans och reglerad materialsammansättning.
Funktioner och fördelar:
• 3,20 mΩ Rds ger låga ledningsförluster för effektiv kraftöverföring
• Kontinuerlig dräneringsström på 80 A stöder betydande belastningsströmmar
• 81 W effektförlust möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsprestanda
• 20 V gate-source-tolerans skyddar mot höga gate-exkurser
• Kontinuerlig dräneringsström på 80 A stöder betydande belastningsströmmar
• 81 W effektförlust möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsprestanda
• 20 V gate-source-tolerans skyddar mot höga gate-exkurser
Användningsområden
• Lämplig för DC-DC-omvandlarutgångar i fordonskraftsystem
• Idealisk för motorstyrsteg med hög strömstyrka i fordon
• Används med strömfördelningsmoduler som kräver ytmontering
• Kan användas för batterihantering och laddningskretsar
• Lämplig för termiskt påfrestande miljöer upp till höga temperaturer
• Idealisk för motorstyrsteg med hög strömstyrka i fordon
• Används med strömfördelningsmoduler som kräver ytmontering
• Kan användas för batterihantering och laddningskretsar
• Lämplig för termiskt påfrestande miljöer upp till höga temperaturer
Vilken typ av förpackning använder den för montering på kort?
Den levereras i en SuperSO8 5 x 6-kapsel avsedd för ytmontering.
Vilka extrema temperaturer tål den i drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C för tillämpningar med brett temperaturområde.
Hur uppfyller den kraven för fordonskvalificering?
Den uppfyller AEC-Q101 fordonsstandarden för stresskärmning av komponenter.
Uppfyller enheten miljömässiga materialbegränsningar?
Den uppfyller RoHS-kraven som begränsar vissa farliga ämnen.
Vad är den maximalt tillåtna gate-källspänningen under användning?
Enheten medger upp till 20 V mellan grind och källa.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 28 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101