Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 243-9336
Tillv. art.nr:: IAUC24N10S5L300ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

14 300,00 kr

(exkl. moms)

17 900,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 01 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	2,86 kr	14 300,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 243-9336
Tillv. art.nr:: IAUC24N10S5L300ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	24A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	SuperSO8 5 x 6
	Serie	IAUC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp SuperSO8 5 x 6
	Serie IAUC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon IAUC-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 24 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUC24N10S5L300ATMA1

Denna MOSFET är en högspänningsswitch med N-kanal avsedd för strömhanteringsroller i kompakta ytmonterade enheter. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver låg påslagningsresistans och betydande kontinuerlig dräneringsströmkapacitet i ytmonterade kapslingar.

Funktioner och fördelar:

• 1.4 mΩ RDS(on) ger minskade ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 24 A stöder kontinuerlig strömförsörjning
• 100 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsuppgifter
• 81 W effektförlust hanterar termisk belastning i trånga layouter
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkoppling för omvandlare
• 20 V gate-source-klassning möjliggör robust gate-drivenheadroom

Användningsområden

• Lämplig för omkopplingssteg i DC/DC-omvandlare i strömskenor
• Idealisk för effektregleringsmoduler för fordon som kräver AEC‐Q101
• Används med högspänningsmotordrivare och boostkretsar
• Kan användas för kompakta ytmonterade nätaggregat
• Lämplig för omkoppling av högströmslaster i inbäddade system

Vilka termiska extremer tål den under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C.

Vilken monteringsform bör designers planera för?

Den levereras i ett SuperSO8 5x6 ytmonterat paket för kretskortsmontering.

Vilken kanalpolaritet och vilket läge använder den?

Det är en N-kanal-enhet som drivs i förstärkningsläge.

Uppfyller den de vanliga miljödirektiven?

Den uppfyller RoHS-kraven.

Vilka framspänningsegenskaper kan påverka lågspänningsdesigner?

Den typiska framspänningen är 1,1 V, vilket påverkar beräkningarna av ledningsfall.