Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 249-6895
Tillv. art.nr:: IAUC80N04S6L032ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

13 765,00 kr

(exkl. moms)

17 205,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 26 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	2,753 kr	13 765,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 249-6895
Tillv. art.nr:: IAUC80N04S6L032ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	80A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	SuperSO8 5 x 6
	Serie	IAUC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	3.20mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp SuperSO8 5 x 6
	Serie IAUC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 3.20mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon IAUC-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 80 A maximal kontinuerlig drain-ström - IAUC80N04S6L032ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling och strömhantering i krävande miljöer. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för ytmonterade tillämpningar där kompakt krafthantering krävs. Enheten uppfyller fordonsstandard och miljöbegränsningar, vilket gör den lämplig för system som kräver robust termisk tolerans och reglerad materialsammansättning.

Funktioner och fördelar:

• 3,20 mΩ Rds ger låga ledningsförluster för effektiv kraftöverföring
• Kontinuerlig dräneringsström på 80 A stöder betydande belastningsströmmar
• 81 W effektförlust möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsprestanda
• 20 V gate-source-tolerans skyddar mot höga gate-exkurser

Användningsområden

• Lämplig för DC-DC-omvandlarutgångar i fordonskraftsystem
• Idealisk för motorstyrsteg med hög strömstyrka i fordon
• Används med strömfördelningsmoduler som kräver ytmontering
• Kan användas för batterihantering och laddningskretsar
• Lämplig för termiskt påfrestande miljöer upp till höga temperaturer

Vilken typ av förpackning använder den för montering på kort?

Den levereras i en SuperSO8 5 x 6-kapsel avsedd för ytmontering.

Vilka extrema temperaturer tål den i drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C för tillämpningar med brett temperaturområde.

Hur uppfyller den kraven för fordonskvalificering?

Den uppfyller AEC-Q101 fordonsstandarden för stresskärmning av komponenter.

Uppfyller enheten miljömässiga materialbegränsningar?

Den uppfyller RoHS-kraven som begränsar vissa farliga ämnen.

Vad är den maximalt tillåtna gate-källspänningen under användning?

Enheten medger upp till 20 V mellan grind och källa.