Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1801
- Tillv. art.nr:
- IAUC70N08S5N074ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
130,26 kr
(exkl. moms)
162,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 730 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,026 kr | 130,26 kr |
| 50 - 90 | 12,365 kr | 123,65 kr |
| 100 - 240 | 12,107 kr | 121,07 kr |
| 250 - 490 | 11,334 kr | 113,34 kr |
| 500 + | 10,55 kr | 105,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1801
- Tillv. art.nr:
- IAUC70N08S5N074ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | SuperSO | |
| Serie | IAUC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp SuperSO | ||
Serie IAUC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons n-kanal MOSFET har 175 °C drifttemperatur och 100 procent avalanche-testad.
Den är RoHS-kompatibel och AEC Q101-kvalificerad
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 28 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5