Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 242-0303
- Tillv. art.nr:
- IAUC100N10S5L040ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 77,20 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
69,10 kr
(exkl. moms)
86,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 438 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 34,55 kr | 69,10 kr | - |
| 20 - 48 | 30,69 kr | 61,38 kr | 77,20 kr |
| 50 - 98 | 28,67 kr | 57,34 kr | 294,00 kr |
| 100 - 198 | 26,99 kr | 53,98 kr | 756,00 kr |
| 200 + | 24,81 kr | 49,62 kr | 1 948,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 242-0303
- Tillv. art.nr:
- IAUC100N10S5L040ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | IAUC | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie IAUC | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-5 effekttransistor är en N-kanal MOSFET. Den är 100 % avalanche-testad.
Kan användas för automatisk optisk inspektion (AOI)
AEC-godkänd
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101