Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 243-9317
- Tillv. art.nr:
- IAUC80N04S6N036ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
73,92 kr
(exkl. moms)
92,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 000 enhet(er) från den 24 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 14,784 kr | 73,92 kr |
| 50 - 120 | 13,306 kr | 66,53 kr |
| 125 - 245 | 12,388 kr | 61,94 kr |
| 250 - 495 | 11,558 kr | 57,79 kr |
| 500 + | 10,774 kr | 53,87 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9317
- Tillv. art.nr:
- IAUC80N04S6N036ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | IAUC | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie IAUC | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUC-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 80 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUC80N04S6N036ATMA1
Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för ytmonterade tillämpningar med hög strömstyrka i tuffa miljöer. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet och är lämplig för termiska och elektriska uppgifter där förhöjda temperaturer och robust strömhantering krävs. Komponenten är RoHS-godkänd och byggd enligt fordonskvalificeringsstandarder för användning i krävande fordonselektronik.
Funktioner och fördelar:
• Maximal kontinuerlig dräneringsström 80 A möjliggör hög strömförsörjning
• Mycket låg RDS(on) på 1,4 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Maximal effektförlust på 81 W stöder tunga omkopplingslaster
• Gate charge Qg 80 nC möjliggör förutsägbara drivrutinkrav
• Maximal VDS 20 V möjliggör integrering av lågspänningssystem
• Mycket låg RDS(on) på 1,4 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Maximal effektförlust på 81 W stöder tunga omkopplingslaster
• Gate charge Qg 80 nC möjliggör förutsägbara drivrutinkrav
• Maximal VDS 20 V möjliggör integrering av lågspänningssystem
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlarsteg i fordonssystem
• Används med strömhanteringsmoduler i elektrifierade fordon
• Idealisk för MOSFET-steg för motordrivning i tillbehörssystem
• Kan användas för batteriskydd och strömfördelning
• Används med strömhanteringsmoduler i elektrifierade fordon
• Idealisk för MOSFET-steg för motordrivning i tillbehörssystem
• Kan användas för batteriskydd och strömfördelning
Vilka grinddrivkretsöverväganden krävs för effektiv omkoppling?
Förvänta en typisk total grindladdning på 80 nC, så grinddrivare måste generera och sänka tillräcklig ström för att uppnå önskade omkopplingshastigheter samtidigt som de hanterar omkopplingsförluster.
Hur påverkar termisk räckvidd implementeringen i fordonselektronik?
Enheten stöder drift från -55 °C till 175 °C, vilket möjliggör placering nära värmegenererande komponenter och i omgivningsförhållanden i motorrummet.
Vilka monterings- och kapslingsbegränsningar gäller för kretslayouten?
Den levereras i ett SuperSO8 5x6 ytmonterat paket med åtta stift, vilket kräver ett kretskortsavtryck och värmehantering som överensstämmer med den pakettypen.
Vilka spännings- och polaritetsbegränsningar bör konstruktörer observera?
Enheten har en maximal grind-till-källspänning på 20 V och en maximal dränering-till-källspänning på 20 V, så systemspänningen måste ligga inom dessa gränser.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101