Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 243-9313
Tillv. art.nr:: IAUC60N04S6N044ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

19 420,00 kr

(exkl. moms)

24 275,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 26 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	3,884 kr	19 420,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 243-9313
Tillv. art.nr:: IAUC60N04S6N044ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	60A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SuperSO8 5 x 6
	Serie	IAUC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SuperSO8 5 x 6
	Serie IAUC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon IAUC-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 60 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUC60N04S6N044ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanaltransistor med förstärkningsläge som är utformad för högströmsomkoppling i fordons- och industrimiljöer. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterad integration där robust hantering av dräneringskälla och grindstyrning krävs.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 1.4 mΩ minskar ledningsförluster
• Hög kontinuerlig dräneringsström 60 A stöder tunga laster
• Drain-source-spänning 20 V möjliggör användning av lågspänningssystem
• Effektförlust på 81 W möjliggör långvarig termisk prestanda
• Gate-laddning 80 nC ger förutsägbar omkopplingsenergi
• Gate-source-klassningsspänning 20 V möjliggör breda drivmarginaler

Användningsområden

• Används för DC-motordrivare i fordonssystem
• Lämplig för batterihantering och strömfördelning
• Idealisk för omkoppling av styrmoduler med hög strömbelastning
• Kan användas för strömomvandling i fordonselektronik
• Används med värmehanteringssystem i tuffa miljöer

Vilka extrema temperaturer tål den i drift?

Den är klassad för drift från −55 °C upp till 175 °C, och passar ett brett spektrum av omgivnings- och termiska förhållanden.

Vilken förpacknings- och monteringsstil finns för montering på kortet?

Den levereras i en SuperSO8 5x6-kapsel och är avsedd för ytmontering.

Hur påverkar dess lagstadgade status valet för produktion?

Den uppfyller RoHS-direktiven, vilket indikerar att användningen av begränsade ämnen överensstämmer med vanliga tillverkningskrav.

Vilken fordonskvalificering gäller för denna enhet för fordonselektronik?

Den uppfyller AEC‐Q101 fordonskvalificering, vilket gör den lämplig för fordonskomponentens specifikationer.